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长江存储推出第四代TLC三维闪存X3-9070
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今日,长江存储科技有限责任公司(长江存储)在2022年闪存峰会(FMS)上正式发布了基于晶栈®(Xtacking)3.0技术的第四代TLC三维闪存X3-9070。

​今日,长江存储科技有限责任公司(长江存储)在2022年闪存峰会(FMS)上正式发布了基于晶栈®(Xtacking)3.0技术的第四代TLC三维闪存X3-9070。相比长江存储上一代产品,X3-9070拥有更高的存储密度,更快的I/O速度,并采用6-plane设计,性能提升的同时功耗更低,进一步释放系统级产品潜能。

 

长江存储第四代TLC三维闪存X3-9070

 自2018年问世以来,晶栈®(Xtacking)技术已成为长江存储助推闪存行业发展的关键动力之一。存储阵列和外围电路的混合键合工艺为闪存产品带来了更高的密度、更快的I/O速度和更短的产品上市周期。随着长江存储晶栈®3.0的推出,新一代X3系列闪存产品将为大数据、5G、智能物联(AloT)及其他领域的多样化应用带来新的机遇。 

经历了晶栈®从1.0到3.0的迭代发展,长江存储在三维异构集成领域已积累了丰富的经验,并基于晶栈®技术成功打造了多款长江存储系统解决方案产品,包括SATA III、PCIe Gen3、Gen4固态硬盘,以及用于移动通信和其他嵌入式应用的eMMC、UFS等嵌入式存储产品,获得了行业合作伙伴的广泛好评。 

“长江存储自研晶栈®3.0架构的问世是其在3D NAND赛道上的重要突破,” Forward Insights 创始人兼首席分析师 Gregory Wong表示,“事实证明,存储阵列和外围逻辑电路的混合键合技术对推动3D NAND 技术发展和创新至关重要。搭载先进的闪存技术晶栈®3.0平台,X3-9070是一个关键的行业里程碑。这也预示着,存储单元和外围逻辑电路混合键合的技术,将有望成为未来的行业主流。” 

作为一款创新产品,长江存储X3-9070兼具出色的性能、更佳的耐用性以及高质量可靠性,并通过美国电子器件工程联合委员会(JEDEC)定义的多项测试标准。 

X3-9070具有如下技术特点:

l 性能:X3-9070实现高达2400MT/s的I/O传输速率,符合ONFI5.0规范;相较于长江存储上一代产品实现了50%的性能提升;

l 密度:得益于晶栈®3.0的架构创新,X3-9070成为了长江存储历史上密度最高的闪存颗粒产品,能够在更小的单颗芯片中实现1Tb的存储容量;

l 提升系统级产品体验:得益于创新的6-plane设计,X3-9070相比传统4-plane,性能提升50%以上,同时功耗降低25%,能效比显著提升,可为终端用户带来更具吸引力的总体拥有成本(TCO)。 

长江存储执行副总裁陈轶表示:“X3-9070闪存颗粒是长江存储近年来在三维闪存领域的匠心之作,它拥有出色的性能表现和极高的存储密度,能够快速高效地应用于主流商用场景之中。面对蓬勃发展的5G、云计算、物联网、自动驾驶、人工智能等新技术带来的全新需求和挑战,长江存储将始终以晶栈®为基点,不断开发更多高品质闪存产品,协同上下游存储合作伙伴,用晶栈®为存储产业赋能,践行‘成为存储技术的领先者,全球半导体产业的核心价值贡献者’的使命和责任。” 

长江存储致力于成为全球半导体产业链值得信赖的合作伙伴,持续拓展创新边界,推动三维闪存技术向更高、更快、更强发展。


责任编辑:张诚

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