到2027年,GaN和SiC功率半导体市场预计将超过45亿美元

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GaN和SiC功率半导体器件有助于提高功率密度,减小无源器件的尺寸,从而推动其在光伏逆变器中的应用。光伏逆变器应用领域在2020年的市场份额保持在25%以上,由于消费者对清洁电力的偏好激增,在预测的时间框架内,很可能以30%的复合年增长率增长。

5G技术在全球的蓬勃发展和推广,将为氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)功率半导体制造商提供新的增长前景。这些半导体以提供小尺寸和高功率密度而闻名,在电信运营商扩大基础设施发展的同时,加速了它们的采用。

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根据Global Market Insights的一项研究,到2027年,GaN和SiC功率半导体市场预计将超过45亿美元。各国政府为采用5G技术而采取的持续举措将推动该行业的发展。

由于集成了专用芯片组和集成电路,SiC功率模块内部的技术创新可以减少设备占地面积,提高能源效率,这可能会推动其在智能电网应用和智能电表中的需求。此外,由于工业自动化机器人和机械的发展趋势,工业电机驱动部门预计将见证高产品需求。

2020年,离散型GaN类占行业份额的2%左右,预计在预测时间内复合年增长率将达到40%左右。分立GaN功率半导体具有低成本、宽禁带等优点,因此在消费类电子器件中的充电应用需求不断增加。

GaN和SiC功率半导体器件有助于提高功率密度,减小无源器件的尺寸,从而推动其在光伏逆变器中的应用。光伏逆变器应用领域在2020年的市场份额保持在25%以上,由于消费者对清洁电力的偏好激增,在预测的时间框架内,很可能以30%的复合年增长率增长。

 

责任编辑:姜华 来源: 比特网
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